根據IRDS的規劃，在2021～2022年以後，FinFET結構將被GAA結構所取代，而半導體先進製程將會邁入2奈米技術節點，但在此之後，製程微縮的難度與成本將會難以承受，取而代之的是在相同的技術節點中發展新的電晶體結構，其中主流的技術發展方向，就是透過電晶體的向上堆疊增加電晶體的數量與密度，再下一步則是透過調整電晶體上方的金屬內連線結構，壓縮內連線空間形成更密集的電路交錯堆疊，以縮小邏輯單元的整體面積。預期未來10年，電晶體與內連線堆疊技術將是半導體製程研發的主要方向，需要IC設計、製程、材料、封裝以及製程設備等所有相關技術的密切配合。

摩爾定律面臨極限，以金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）為主的矽電晶體，在2奈米技術節點之後已面臨技術與成本的雙重瓶頸，新的晶片結構如電晶體與內連線的3D堆疊設計已被確立為未來十年的發展重點。資策會MIC資深產業分析師鄭凱安